2023年02月04日

射频易商城_芯片电容_高电容密度硅基MIS芯片电容①

2022-12-25 19:37   来源: 互联网

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高电容密度硅基MIS芯片电容①


金 属一绝缘 层一半 导体 (M etal—insulator—semicon—ductor ,MIS) 结 构作 为一 种 电容 器 结 构 多 年来 已被广 泛研 究 _1 ] ,在很 多领 域诸 如微 波耦 合 、隔 直 、 滤波等方 面都有 着 重 要 的应 用 。 近 年来 ,电 容 器 的 高 温性 能 受到越 来 越 多 的关 注 ,在 自动 汽 车 、 制 导 、航 空航 天 等领 域对 低温 度系 数 的电容 器具 有迫 切 的市 场需 求 [5] 。 常 规 的 陶 瓷 电 容 器 温 度 系 数 较 差 ,例 如X 7R 电容 的 电容值 温度 系数 ( 一 55~ 125℃ ) 达 到 了15 9/6[6 ] ,而 采 用 SiO 、 Si。N  作 为 绝 缘 层 的 硅 基M IS 电容 的温 度 系数 则 非 常优 秀 ,在 全 温 区 ( 一55150℃) 内其温 度 系 数 低 于 1  ,具 有 极 强 的温 度稳定 性 ,十分 适合 在 宽温 度范 围下 工作 。 然 而 ,传统的平 面 结构 硅 基 M IS 电容 由 于介 质 层 的低 介 电常数 导致 了其 电容 密 度 相 比陶 瓷 电容 低 很 多 ,虽然 可以通过 降低 介质 层 厚 度 一 定 程 度 上增 大 电容 密 度 ,但其耐 压也 会随之 降低 ,这些都 极 大地阻碍 了 硅基M IS 电容 的市场 推 广应 用 。针 对平 面结 构 M IS 电容 的 电容 密度 低 问 题 , 一 款 3D 结 构 的硅 基 M IS 芯 片 电容 ,通 过在 硅衬 底 上进行 深 孔 阵列 的刻 蚀 ,极 大地 增加 了 电容 的有 效 电极 面积 ,最 终研 制 成 功 了 电极 尺寸 220  m × 220  m 、击 穿 电压 7O V 、 电 容 值 1 000pF 的芯 片电容 ,在相 同 耐 压下 其 电 容密 度相 比传 统平面硅基 MIS 芯片 电容提 升 了 约 5O 倍 ,同 时 保 留 了传统平 面硅基 MIS 芯 片 电 容低 温 度 系 数 的优 点 ,使硅基 M IS 电容在大 电容领域方 面的应用 成 为 可能


推荐产品一、丽芯微电47pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容


型号:C11-20-100V-470
容值/容差:47pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥100G@100V
损耗@频率:≤4.0@1KHz
封装尺寸:0.508*0.508*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

推荐产品二、丽芯微电6800pF, ≥1G@25V, 双面不留边 单层芯片电容


型号:C11-70-25V-682
容值/容差:6800pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥1G@25V
损耗@频率:≤2.5@1MHz
封装尺寸:1.778*1.778*0.150 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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